论文部分内容阅读
本文研究了以TMG、固体In和固体As作为分子束源的碳掺杂InxGa1-xAs（x=0-0.98）的MOMBE生长与特性,发现衬底温度和In分子束强度对样品的生长速率、In组分含量x及载流子浓度具有强烈影响。在x=0-0.8的范围内空穴浓度随x的增大而减小,当x>0.8时导电类型转变为n型。探讨了MOMBE法生长InxGa1-xAs的掺碳机理及其对载流子浓度和导电类型的影响,并用X射线衍射（XRD）和光致发光谱（PL）等方法分析了外延层质量。更多还原