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对气相外延GaN薄膜生长的研究
对气相外延GaN薄膜生长的研究
来源 :国外发光与电光 | 被引量 : 0次 | 上传用户:luffyzl
【摘 要】
:
氮化镓是一种Ⅲ—Ⅴ族化合物的发光材料,属六方晶系,钎维锌矿结构,其禁带宽度岁3.5ev,具有直接跃迁型能带结构。适当掺杂的GaN在一定电场下可以发射红、黄、绿、兰紫色等发光
【作 者】
:
黄锡珉
富淑清
谢江锋
范广涵
胡光
刘汉芝
【机 构】
:
中国科学院长春物理所
【出 处】
:
国外发光与电光
【发表日期】
:
1979年Z1期
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氮化镓是一种Ⅲ—Ⅴ族化合物的发光材料,属六方晶系,钎维锌矿结构,其禁带宽度岁3.5ev,具有直接跃迁型能带结构。适当掺杂的GaN在一定电场下可以发射红、黄、绿、兰紫色等发光光谱。
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