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英飞凌科技公司（FSE／NYSE：IFX）近日在中国国际电源展览会上宣布推出采用Super—S08和S308（ShrinkSuperS08）封装的40V、60V和80VOptiMOS3N沟道MOSFET．在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。
英飞凌推出具最低通态电阻无铅封装MOSFET
【摘 要】
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英飞凌科技公司（FSE／NYSE：IFX）近日在中国国际电源展览会上宣布推出采用Super—S08和S308（ShrinkSuperS08）封装的40V、60V和80VOptiMOS3N沟道MOSFET．在这些击穿电压下可提供无铅封装
【出 处】
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电动自行车
【发表日期】
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2008年6期
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