【摘 要】
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采用多热源真空合成法,以纯度分别为99%(质量分数,以下同)、90. 87%的微米级硅质原料、碳质材料,在自行研制的多热源炉内合成高纯、高密度、大粒径的3C-SiC微粉。实验研究碳
【机 构】
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西安科技大学材料科学与工程学院,西安博尔新材料有限责任公司
【基金项目】
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国家自然科学基金项目，编号:51074123;陕西省科技统筹计划项目，编号:2016KTCQ01-97
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采用多热源真空合成法,以纯度分别为99%(质量分数,以下同)、90. 87%的微米级硅质原料、碳质材料,在自行研制的多热源炉内合成高纯、高密度、大粒径的3C-SiC微粉。实验研究碳硅物质的量比、原料粒度以及反应温度对合成产物的影响。结果表明:碳与硅物质的量比为1. 05∶1时,合成的3C-SiC微粉SiC的纯度达到99. 99%;与硅质原料相比,碳质原料粒度对产物粒度影响更为显著,增加碳质原料的粒度,可获得粒度更大、晶型更完整的3C-SiC微粉,微粉的平均粒径D50可达21. 7μm;在1 300~1 8
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