【摘 要】
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3.3IGBT的吸收电路与晶闸管和GTO类似，当IGBT突然断开时，储存在回路杂散电感中的能量消散在该器件上，导致瞬态电压过冲。这种瞬态电压的大小与杂散电感以及关断电流下降的速率成
【机 构】
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株洲电力机车研究所!教授级高级工程师，株洲，412001
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3.3IGBT的吸收电路与晶闸管和GTO类似，当IGBT突然断开时，储存在回路杂散电感中的能量消散在该器件上，导致瞬态电压过冲。这种瞬态电压的大小与杂散电感以及关断电流下降的速率成比例。对于快速开关的IGBT模块，因在很短的时间内转换很大电流，可能产生具有潜在破坏性的瞬态
3.3IGBT Absorption Circuit Similar to thyristors and GTOs, the energy stored in the loop stray inductance dissipates across the device when the IGBT suddenly opens, resulting in transient voltage overshoot. The magnitude of this transient voltage is proportional to the stray inductance and the rate at which the turn-off current drops. For fast switching IGBT modules, because in a very short period of time to convert large current, potentially potentially destructive transient
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