【摘 要】
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采用离子束溅射方法,在玻璃衬底上沉积Cu,In,Al和Se,在同一真空环境下进行退火处理,制备得到铜铟铝硒(CIAs)太阳电池吸收层薄膜.利用扫描电镜、X射线衍射仪、能谱仪、四探针
【机 构】
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深圳大学物理科学与技术学院 深圳518060
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采用离子束溅射方法,在玻璃衬底上沉积Cu,In,Al和Se,在同一真空环境下进行退火处理,制备得到铜铟铝硒(CIAs)太阳电池吸收层薄膜.利用扫描电镜、X射线衍射仪、能谱仪、四探针系统、分光光度计分别对薄膜的表面形貌、物相结构、晶粒尺寸、元素含量、电阻率和禁带宽度等特性进行分析.结果表明:通过控制铜铟、Cu、Al、Se各靶材的镀膜时间,实现在CuInSe2薄膜上掺杂Al元素,制备的CIAS薄膜呈现黄铜矿结构.薄膜(112)衍射峰峰位,表面电阻率和禁带宽度随着铝含量的增加而增加,调节Al元素的含量可以使薄膜表面均匀.当Al的原子分数比X(Al)=14.47％时,(112)衍射峰最强,半高宽最小,结晶最好.当X(Al)=11.8％,N(Al)/(N(In)+ N(Al))=0.37,禁带宽度为2.12 eV,薄膜表面形貌最均匀.
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