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韩国存储器厂海力士于近日发表40纳米制程2GbGDDR5绘图芯片DRAM，工作频宽为7Gbps，32位I／O信道，数据处理速率每秒28GB／s，电压为1．35V。新推出的GDDR5绘图DRAM采用海力士40纳米制程制造，体积小，功耗比50纳米制程产品下降20％。海力士预计在2010年下半开始量产新款GDDR5DRAM。