【摘 要】
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对不同偏置状态下的国产科学级0.18μm工艺掩埋型4T-CMOS有源像素图像传感器进行钴-60射线辐照和退火实验,研究总剂量效应对图像传感器的性能影响,并观察是否存在总剂量偏置
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆 乌鲁木齐 830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆 乌鲁木齐 830011;中国科学院大学,北京 10004
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对不同偏置状态下的国产科学级0.18μm工艺掩埋型4T-CMOS有源像素图像传感器进行钴-60射线辐照和退火实验,研究总剂量效应对图像传感器的性能影响,并观察是否存在总剂量偏置效应.着重分析暗电流、满阱容量等参数随累积剂量的变化规律.实验结果表明随着辐照总剂量累加,暗电流前期缓慢增长,之后退化明显加剧,这主要是由于辐照致界面态和氧化物陷阱电荷密度增加.4T-CMOS图像传感器的暗电流主要由来源于STI界面,而辐照导致耗尽区展宽与STI接触使得暗电流增长加剧,同时,辐照导致的耗尽区展宽也引起满阱容量的下降.并且在4T-CMOS图像传感器的实验中没有发现明显的总剂量偏置效应.
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