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本文报道利用直流反应磁控溅射技术在Ａｌ２Ｏ３上生长一层ＺｎＯ再用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在ＺｎＯ／Ａｌ２Ｏ３衬底上生长ＧａＮ，实验发现低温生长ＣａＮ过渡层有利于晶体质量的提高，ＰＬ谱主峰红移到蓝光区，二次离子质谱仪（ＳＩＭＳ）测量发现有Ｚｎ扩散到ＧａＮ外延层，Ｚｎ的扩散引起光致发光谱主峰移动，估算出的１０５０℃Ｚｎ在ＧａＮ中扩散系数是８．６×１０＾－１４ｃｍ＾２／ｓ。