【摘 要】
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在频率源芯片窄带应用时，输出信号有较好的积分均方根抖动性能（RMS jitter），需要压控振荡器（VCO）有较出色的相噪特性。通过分析VCO的结构特点，确定电感是影响片上VCO相位噪声的关键
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在频率源芯片窄带应用时，输出信号有较好的积分均方根抖动性能（RMS jitter），需要压控振荡器（VCO）有较出色的相噪特性。通过分析VCO的结构特点，确定电感是影响片上VCO相位噪声的关键性因素，通过HFSS软件建模的方式，将高品质因素（Q）值的键合线电感引入到片上VCO设计中。采用0．18μm SiGe BiC—MOS工艺，设计了整块频率源芯片，并着重优化了VCO输出信号的相位噪声。经过实测，在开环状态下，VCO输出信号为2．2GHz，在1MHz频偏处的相位噪声为-136 dBc／Hz；在环路带宽8
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