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报道了采用超声雾化喷涂工艺沉积优质掺杂二氧化锡透明导电半体薄膜的实验成果，选用氟作为掺杂元素，通过改变掺杂量和工艺参数，可控制薄膜的广场电阻在１０Ω／□以上的范围内变化（４００ｎｍ膜厚），掺氟离子二氧化锡为ｎ型导电半导体，高浓度掺杂的二氧化锡薄膜光学透过率为８７％～９０％（采用５５０ｎｍ单色光源透过率）。用Ｘ射线衍射及扫描电了显微镜分析，可获得该薄膜材料的微结构、表面形豸以及薄膜组成、掺杂百分含量