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介绍了共振隧穿二极管（RTD）中电荷积累效应，利用顺序隧穿模型分析了RTD中有电荷积累时器件各部分电压的再分布；并结合电压降局限于双势垒区和遍及整个RTD的两种情况，建立了电荷和电流方程；最后利用电荷积累效应解释了负阻区本征双稳态特性。
共振隧穿二极管中的电荷积累效应——共振隧穿器件讲座（4）
【摘 要】
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介绍了共振隧穿二极管（RTD）中电荷积累效应，利用顺序隧穿模型分析了RTD中有电荷积累时器件各部分电压的再分布；并结合电压降局限于双势垒区和遍及整个RTD的两种情况，建立了电荷和
【机 构】
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天津工业大学信息与通讯工程学院,专用集成电路国家级重点实验室,天津大学电子信息工程学院
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2006年4期
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