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测量带电离子引起的原子内壳层电离截面,越来越激起人们的兴趣。质子轰击重靶,直接库仑电离是主要机制。在诸多内壳层中,K和L壳层的电离,在实验和理论两个方面都进行了较多的研究。有关M壳层的实验数据则很缺乏,并且已有的各家数据间分歧很大。实验结果与ECPSSR理论预言值符合得很差。本工作利用0.6—2.75MeV质子轰击Ta、Au和Bi的薄靶,测量M壳层的X—线产生截面并得到M—壳层的电离截面,实验结果与PWBA理论预期值作了化较。