【摘 要】
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采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)在蓝宝石上生长宽带隙半导体GaN和磁控溅射BST热释电薄膜,实现了一种单片集成紫外红外双色探测器。紫外探测部分采用GaN系金属-半导体-金
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所,电子科技大学,
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采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)在蓝宝石上生长宽带隙半导体GaN和磁控溅射BST热释电薄膜,实现了一种单片集成紫外红外双色探测器。紫外探测部分采用GaN系金属-半导体-金属(MSM)器件结构,红外探测采用钛酸锶钡(BST)热释电电容结构,二者用多孔SiO2实现热隔离。制作了紫外红外双色集成探测器测试单元和1×32和1×64线列线列器件。测试单元器件紫外和红外有源区面积均为500μm×500μm,紫外探测部分峰值波长360nm,截止波长370nm,响应度0.08A/W;BST薄膜热释电系数为1×10-6C.cm-2K-1,红外热释电探测部分电压响应率为9.14V/W,黑体探测率D为4.37×105cm.Hz1/2.W-1。
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