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本文提出了一个窄带半导体双光子光学双稳性的稳态理论模型。分析了InSb、HgCdTe的光学双稳性的稳态特性,并从实验上获得了理想的脉冲整形效应。
窄带半导体光学双稳性的稳态特性
【摘 要】
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本文提出了一个窄带半导体双光子光学双稳性的稳态理论模型。分析了InSb、HgCdTe的光学双稳性的稳态特性,并从实验上获得了理想的脉冲整形效应。
【机 构】
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哈尔滨工业大学应用物理系,哈尔滨150006
【出 处】
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中国激光
【发表日期】
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1991年18期
【基金项目】
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期刊
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