跨导为325mS／mm的AlGaN／GaN HFET器件

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shi12345600

【摘要】

：

报道了使用国产GaN外延材料（蓝宝石衬底）的AlGaN／GaN HFET器件的制备以及室温下器件的性能．器件栅采用场板结构，其中栅长为0．3pm，场板长为0．37pm，源漏间距为3pm．器件的饱和电流密度为0．5

【作者】

：

张志国杨瑞霞王勇冯震杨克武

【机构】

：

河北工业大学信息工程学院,中国电子科技集团公司第十三研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年9期

【关键词】

：

ALGAN/GAN HFET 跨导直流特性场板 AIGaN/GaN HFET transconductance DC characteristic fiel

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报道了使用国产GaN外延材料（蓝宝石衬底）的AlGaN／GaN HFET器件的制备以及室温下器件的性能．器件栅采用场板结构，其中栅长为0．3pm，场板长为0．37pm，源漏间距为3pm．器件的饱和电流密度为0．572A／mm，最大漏电流密度为0.921A／mm，最大跨导为325mS／mm，由S参数外推出截止频率和最高振荡频率分别为27．9GHz和33．1GHz．

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