【摘 要】
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以Ib型（100）取向高温高压（HPHT）单晶金刚石为基底、H2-CH4-CO2混合气为反应气源,利用10kW、2.45GHz不锈钢谐振腔式微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）装置进行金刚石同质外延生长。通
【机 构】
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西南科技大学四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(11205127);碳纳米材料四川省青年科技创新研究团队专项资助项目(2011JTD0017)
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以Ib型（100）取向高温高压（HPHT）单晶金刚石为基底、H2-CH4-CO2混合气为反应气源,利用10kW、2.45GHz不锈钢谐振腔式微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）装置进行金刚石同质外延生长。通过光学显微镜表征外延生长金刚石的表面形貌;Raman光谱表征金刚石的结晶质量;螺旋测微仪测厚再计算生长速率,着重探讨工艺因素中氧碳比对同质外延金刚石生长速率、表面形貌、金刚石结晶质量的影响。结果表明随着氧碳比的增加,金刚石生长模式由二维形核模式转变为台阶流模式,结晶质量提高,生长速率变慢;在微波功率7
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