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设计了低电阻的渐变型分布布拉格反射器(DBR)结构,模拟分析了采用渐变p-DBR结构对价带能带的影响,并详细讨论了渐变形状、渐变区宽度、掺杂浓度等参数对低电阻渐变DBR结构的价带势垒的影响.利用MOCVD技术制备了实验样品,模拟结果与实验数据基本吻合.
低电阻p—DBR结构的模拟分析
【摘 要】
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设计了低电阻的渐变型分布布拉格反射器(DBR)结构,模拟分析了采用渐变p-DBR结构对价带能带的影响,并详细讨论了渐变形状、渐变区宽度、掺杂浓度等参数对低电阻渐变DBR结构的
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2005年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点基础研究发展计划(973计划)，北京市自然科学基金
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