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本文研究了掺入适量的ＭｎＯ２对偏铌酸铅压电陶瓷的影响，实验结果表明，随着ＭｎＯ２掺入量的改变，材料的Ｋｔ和Ｑｍ都发生变化，当掺入量为０．３Ｗｔ％，Ｋｔ达最大，Ｑｍ最小，且材料的显微结构也较好。
氧化锰对偏铌酸铅压电陶瓷性能的影响
【摘 要】
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本文研究了掺入适量的ＭｎＯ２对偏铌酸铅压电陶瓷的影响，实验结果表明，随着ＭｎＯ２掺入量的改变，材料的Ｋｔ和Ｑｍ都发生变化，当掺入量为０．３Ｗｔ％，Ｋｔ达最大，Ｑｍ最小，且材料的显微结构也较好。
【机 构】
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南京轻工部电光源材料研究所,南京化工学院,南京化工学院
【出 处】
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现代技术陶瓷
【发表日期】
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1995年1期
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