【摘 要】
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研究了H3BO3或SiO2掺杂（质量分数为0.02%～2.00%）对0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度、晶体结构及微波介电性能的影响。结果表明,微量的H3BO3或SiO2掺杂可使0.61CaTiO3-0.39L
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室,成都泰格微波技术股份有限公司
【基金项目】
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国家国际科技合作基金资助项目（0102010DFB13800）
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研究了H3BO3或SiO2掺杂（质量分数为0.02%～2.00%）对0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度、晶体结构及微波介电性能的影响。结果表明,微量的H3BO3或SiO2掺杂可使0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度从1 380℃降至1 340℃,2.00%以内的H3BO3或SiO2掺杂不会改变陶瓷的物相组成。在H3BO3掺杂质量分数为2.00%时,样品的微观形貌发生了很大的改变,烧成的陶瓷稀疏多孔,密度急剧下降。研究表明,H3BO3或SiO2掺杂对0.61CaTi
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