【摘 要】
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采用离子注入和ICP干法刻蚀相结合的台面隔离技术提高了4H—SiC衬底AlGaN／GaNHEMTs的直流特性和高频特性。与只采用干法刻蚀进行台面隔离的器件相比，相邻器件有源区之间的泄漏
【机 构】
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宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子研究所
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采用离子注入和ICP干法刻蚀相结合的台面隔离技术提高了4H—SiC衬底AlGaN／GaNHEMTs的直流特性和高频特性。与只采用干法刻蚀进行台面隔离的器件相比，相邻器件有源区之间的泄漏电流减少了两个数量级，栅肖特基泄漏电流在栅漏电压为-40V时由38．5μA减小到1.2μA，截止频率由3．2GHz提高到6．7GHz。分析了器件泄漏电流减小和频率特性提高的原因。
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