【摘 要】
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介绍了一种用于 Ga As半导体探测器 ,以场效应管和集成运放为主要器件的低噪声的电荷灵敏前置放大器的设计。设计性能指标达到 :电荷灵敏度 2× 10 12 V/ C,等效噪声电荷
【机 构】
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介绍了一种用于 Ga As半导体探测器 ,以场效应管和集成运放为主要器件的低噪声的电荷灵敏前置放大器的设计。设计性能指标达到 :电荷灵敏度 2× 10 12 V/ C,等效噪声电荷 <10 0 (电子 -空穴 ) ,上升时间<10 ns
The design of a low-noise, charge-sensitive preamplifier for the GaAs semiconductor detector, with FETs and integrated op amps as its main components, is presented. Design performance indicators to achieve: charge sensitivity 2 × 10 12 V / C, the equivalent noise charge <10 0 (electron - hole), the rise time <10 ns
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