【摘 要】
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1.前言1970年,美国贝尔实验室的Smith等人提出一种新的半导体器件——电荷耦合器件(Charge Coupled Device,简称CCD)概念并进行了验证。这种器件与我们熟知的靠P-N结工作的
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1.前言1970年,美国贝尔实验室的Smith等人提出一种新的半导体器件——电荷耦合器件(Charge Coupled Device,简称CCD)概念并进行了验证。这种器件与我们熟知的靠P-N结工作的晶体管不同,是一种无结器件。CCD的基本原理是很简单的。它是由密排MOS器件组成的。工作时在这些MOS结构的金属电极上施力适当的电压,使信号
1. Introduction In 1970, Smith et al. Proposed a new semiconductor device called Charge Coupled Device (CCD) concept and verified it. Unlike the well-known transistors that work on P-N junctions, this device is a junctionless device. The basic principle of CCD is very simple. It is made up of close-packed MOS devices. When working in these MOS structure of the metal electrode exert a suitable voltage to enable the signal
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