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本研究介绍了在较低的温度条件下,利用等离子体增强化学气相沉积法成功实现在单晶硅衬底上生长高质量石墨烯纳米墙。系统地研究了生长温度、生长时间及射频功率等对硅基石墨烯纳米墙微观结构的影响。利用包括拉曼光谱在内的多项技术表征石墨烯纳米墙的质量及尺寸大小。研究发现随着温度升高、生长时间延长和射频功率增大,石墨烯纳米墙的密度和尺寸也随之增大。通过优化工艺条件,成功制备出高密度、大尺寸、均一的硅基石墨烯纳米墙材料。并且,高质量的石墨烯纳米墙超大比表面积及大量晶界堆叠形成的缺陷大幅提升了湿度传感器的性能。