栅极电阻对IGBT du/dt和di/dt的影响分析

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在IGBT关断过程中,过大的du/dt和di/dt将会引起器件的过电流和过电压,从而损坏器件。为了控制IGBT的开关特性。通常在栅极串联电阻,其大小与du/dt和di/dt有直接关系。传统观点通常误认为串联电阻越大,关断过程中du/dt和di/dt越小。针对此问题,基于IGBT器件关断过程的物理机理对栅极串联电阻与du/dt和di/dt的关系进行了分析,认为对于高电压等级的IGBT器件,随着栅极电阻的增大,其di/dt变化趋势反而会增大。通过对不同电压等级的IGBT器件进行测试,发现测试结果与理论分析一致
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