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注入型多孔硅基发光二极管的研究进展
注入型多孔硅基发光二极管的研究进展
来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ebayka
【摘 要】
:
主要评述了Schottky结和PN结多孔硅基发光二极管的结构和性能及其研究进展。讨论了器件界面态对其性能的影响。最后分析了目前器件研究中存在的亟需解决的问题以及解决方法。
【作 者】
:
杨国伟
【机 构】
:
航空航天部第014中心洛阳471009
【出 处】
:
半导体情报
【发表日期】
:
1993年6期
【关键词】
:
多孔硅
发光二极管
注入型
Porous silicon
Light-emitting diode
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主要评述了Schottky结和PN结多孔硅基发光二极管的结构和性能及其研究进展。讨论了器件界面态对其性能的影响。最后分析了目前器件研究中存在的亟需解决的问题以及解决方法。
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