时间交叉存取逐次逼近型ADC中的电容自校准技术(英文)

来源 :Journal of Southeast University(English Edition) | 被引量 : 0次 | 上传用户:sunrain0428
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设计了一种用于逐次逼近型ADC中的电容自校准电路.通过增加一个校准周期,该电容自校准结构即可与原电路并行工作,并可校准电路工作时产生的误差.采用该电路设计了一个用于多通道逐次逼近型结构的10bit32Msample/s模数转换器单元,该芯片在Chart0.25μm2.5V工艺上实现,总的芯片面积为1.4mm×1.3mm.在32MHz工作时,通过校准后的信噪比仿真结果为59.5861dB,无杂散动态范围为70.246dB.芯片实测,输入频率5.8MHz时,信噪失真比为44.82dB,无杂散动态范围为63.7604dB.
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