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基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流（ISUB）的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入（HCI）效应和ISUB相关.因此,ISUB特征曲线的解释理论和基于理论的正确公式表述对于确保器件设计的可靠性尤为重要.高压器件的ISUB随栅极电压变化在峰值后再次升高.然而在普通低压器件的经典特征曲线中,ISUB仅呈现一个峰.高压器件的ISUB再次升高及其相关的可靠性问题成为新的研究热点.最广为接受的理论（Kirk effect）认为,ISUB再次升高是因为栅控