【摘 要】
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运用密度泛函理论方法(DFT)对三种不同七元稠环芴小分子进行前线轨道能级研究。研究结果表明,在七元稠环芴分子的同一位置,分别以Si,Ge代替C作为桥接原子,很大程度上改变七元
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运用密度泛函理论方法(DFT)对三种不同七元稠环芴小分子进行前线轨道能级研究。研究结果表明,在七元稠环芴分子的同一位置,分别以Si,Ge代替C作为桥接原子,很大程度上改变七元稠环芴小分子的电子云密度分布,随着桥接原子给电子能力和电负性的改变,与C原子桥接分子相比,Si和Ge原子桥接七元稠环芴的HOMO和LUMO能级轨道值有一定程度的下移,但是带隙却略微增加,这说明这类杂原子取代稠环芴小分子在构建太阳能电池聚合物材料方面有巨大的应用前景。
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