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化学机械抛光（chemical mechanical polishing／planarization，CMP）能够提供高级别的整体平面度和局部平面度而成为集成电路（integrated circuit，IC）中起重要作用的一门技术．抛光垫是CMP性能的主要影响因素．这里建立了一个初步的二维流动模型以考虑抛光垫的弹性、孔隙参数、粗糙度以及晶片形状等因素对抛光液流动性能的影响，并通过数值模拟得出了它们对压力分布和膜厚等的作用．结果表明：由于抛光垫的变形和多孔性，承载能力将有所下降，膜厚增大，从而有利于抛光液中