论文部分内容阅读
超宽禁带半导体单斜氧化镓(β-Ga2O3)拥有4.6-4.9 e V的禁带宽度、高介电常数与击穿电场和良好的化学与热稳定性,在紫外透明电极、高温气体传感器、深紫外光电探测器以及高压大功率器件等领域具有重要潜在应用。本研究聚焦于β-Ga2O3纳米材料的制备,探究各生长参数对β-Ga2O3纳米材料性质的影响。本研究中通过优化生长条件,解决了β-Ga2O3纳米材料制备过程中晶体质量不高、生长方向不可控的问题,制备出了高质量的、厚度可控的单晶(201)β-Ga2O3纳米线、(010)β-Ga2O3纳米带与纳米片。