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采用解析分析的方法，开发了ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的稳态解析模拟软件，它可模拟与ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的几何结构、掺杂分布相关的直流特性。本文介绍了模拟所采用的物理模型和模拟技术，并得到了优化结论，给出了部分模拟结果和实验结果。
IGBT和VDMOS解析模型和模拟
【摘 要】
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采用解析分析的方法，开发了ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的稳态解析模拟软件，它可模拟与ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的几何结构、掺杂分布相关的直流特性。本文介绍了模拟所采用的物理模型和模拟技术，并得到了优化结论，给出了部分模
【机 构】
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西安交通大学
【出 处】
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电力电子技术
【发表日期】
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1996年3期
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