利用C_6H_8O_7/H_2O_2溶液对Al_xGa_(1-x)As/GaAs的选择性腐蚀制作空气腔结构的研究

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针对MEMS(micro-electro-mechanical system)工艺中牺牲层的选择性腐蚀问题,提出了一种判断牺牲层是否完全腐蚀的新方法,解决了这一工艺难点。测定了C6H8O7/H2O2溶液对GaAs的腐蚀速率,并采用这种方法选择性腐蚀了一个带有GaAs牺牲层的DBR(distributed bragg reflector)结构,得到一个空气腔结构,结合GaAs的晶体结构,分析了GaAs的各向异性腐蚀特性,为实际MEMS器件的制作奠定了基础。 Aiming at the selective etching of sacrificial layer in MEMS (micro-electro-mechanical system) process, a new method to judge whether the sacrificial layer is completely etched is proposed, which solves the difficulty of this process. The corrosion rate of GaAs in C6H8O7 / H2O2 solution was measured and a distributed bragg reflector (DBR) structure with GaAs sacrificial layer was selectively etched by this method to obtain an air cavity structure. Combining with the crystal structure of GaAs, The anisotropic corrosion of GaAs lays the foundation for the fabrication of actual MEMS devices.
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