【摘 要】
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前言CoolMOSCS系列“超级结”MOSFET器件高压设备的成功是基于1998年英飞凌公司推出的CoolMOS技术。这些器件的优越性能实现了区域导通电阻的大幅度降低。为了防止过早的电压
【机 构】
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前言CoolMOSCS系列“超级结”MOSFET器件高压设备的成功是基于1998年英飞凌公司推出的CoolMOS技术。这些器件的优越性能实现了区域导通电阻的大幅度降低。为了防止过早的电压击穿,载流子得到了相邻漂移区内p-区的补偿。P-区与导电n-区紧密封闭在一起。在阻断状态下,这些相邻的n
Preface CoolMOSCS series of “super junction” MOSFET devices, high-voltage equipment, the success is based on Infineon’s 1998 CoolMOS technology. The superior performance of these devices enables a dramatic reduction in the area on-resistance. In order to prevent premature voltage breakdown, the carrier is compensated for the p-region in the adjacent drift region. P-region and the conductive n- region tightly closed together. In the blocking state, these adjacent n
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