一种超高密度存储材料的四极质谱分析

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三乙胺 四氰 p 醌二甲烷 (TEA(TCNQ) 2 )单晶样品是一种可以用来进行超高密度信息存储研究的有机复合物材料。在扫描隧道显微镜 (STM)针尖和TEA(TCNQ) 2 样品间加电压脉冲 ,可以在TEA(TCNQ) 2 样品表面形成规则排列的直径为纳米级孔洞阵列。为了阐明孔洞形成的机理 ,使用四极质谱计对其进行了残气分析。在负高压脉冲刻蚀TEA(TCNQ) 2 样品时 ,测量到放出气体为TEA的 86u主峰 ,证实了STM脉冲刻蚀形成的孔洞阵列主要是由于TEA(TCNQ) 2 气化分解的结果。测量TEA(TCNQ) 2 样品在不同热处理温度时的放气质谱 ,发现TEA(TCNQ) 2 样品在 110℃时大量放出TEA气体 Triethyl tetracyanoquinodimethane (TEA (TCNQ) 2) single crystal sample is an organic composite material that can be used for ultra-high density information storage research. A voltage pulse was applied between the STM tip and the TEA (TCNQ) 2 sample to form regularly arranged arrays of nano-sized holes on the TEA (TCNQ) 2 sample surface. To clarify the mechanism of pore formation, residual gas analysis was performed using a quadrupole mass spectrometer. When the TEA (TCNQ) 2 sample was etched by negative high voltage pulse, 86u peak of TEA emission was measured. It was confirmed that the array of holes formed by STM pulse etching was mainly due to the gasification decomposition of TEA (TCNQ) 2. The gas emission spectra of TEA (TCNQ) 2 samples at different heat treatment temperatures were measured and it was found that the TEA (TCNQ) 2 sample released a large amount of TEA gas at 110 ℃
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