论文部分内容阅读
用液氮温度下的液氧蒸汽作为氧源,控制 O<sub>2</sub>/N<sub>2</sub>值在10<sup>-2</sup>至10<sup>-3</sup>可生长性能和重复性均为良好的可隧穿的超薄氧化层,结合用 SiH<sub>4</sub>—NH<sub>3</sub>体系的 LPCVD 技术,所淀积的具有电荷存储陷阱的 Si<sub>3</