In:Mn:Fe:LiNbO3晶体光全息存储性能

来源 :黑龙江大学自然科学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:guanyucomputer
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采用提拉法(Czochralskimethod)生长In:Mn:Fe:LiNbO3晶体,并测试紫外可见光谱和抗光损伤能力。利用二波耦合方法测试晶体的响应时间、最大衍射效率、擦除时间,然后计算出光折变灵敏度和动态范围。采用双光子固定方法在Mn:Fe:LiNbO3和In(1m01%):Mn:Fe:LiNbO3晶体中实现非挥发性存储。结果表明随着In3-离子掺入量的增加,In:Mn:Fe:LiNbO3晶体吸收边发生紫移,其抗光损伤能力增强,In(1mol%):Mn:Fe:LiNbO3晶体的写入时间仅仅是Mn:F
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