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采用PECVD技术制备a-Si：H/a-Si：H叠层双结非晶硅电池，研究了本征层厚度对叠层电池功率及短路电流的影响。通过调节顶电池和底电池本征层的沉积时间，得到不同厚度比例的本征层(di1：di2)，经过实验对比发现 I层总体厚度为650 nm，di1：di2=1：5时得到的电池组件短路电流（Isc）和最大功率（Pmax）都是最大值。此时叠层电池的电流得到了较好的匹配，实现了工艺参数的优化。