【摘 要】
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为顺应集成电路设计对器件提出更高性能要求的趋势,提出一种高性能折叠Ⅰ型栅无结场效应晶体管, 主要研究此类产品在不同栅极长度下的电学特性, 讨论栅极的几何形状改变对器
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为顺应集成电路设计对器件提出更高性能要求的趋势,提出一种高性能折叠Ⅰ型栅无结场效应晶体管, 主要研究此类产品在不同栅极长度下的电学特性, 讨论栅极的几何形状改变对器件性能产生的影响.通过与普通的双栅、 三栅无结场效应晶体管的仿真结果的对比, 突出 FIG JL FET在电学性能上所具备的优势, 并给出栅极设计参数的最佳优化方案.仿真实验结果表明, 相比于其他的栅型结构, 折叠Ⅰ型栅无结场效应晶体管具有更低的反向泄漏电流,Ion-Ioff 比也得到很大提升, 而且几乎没有亚阈值的衰减.作为一款高性能器件,
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