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自对准硅化物通常用于降低多晶硅栅的薄层电阻（Rs）和硅源／漏（S／D）区域的接触电阻。对于90nm以下的器件，S／D区域还要求是重掺杂的超浅结．以抑制短沟道效应并尽量减小结的Rs。Ni的硅化物（NiSi）与其它的常见硅化物（例如TiSi2和CoSi2）相比，具有较低的生成温度和更小的硅消耗量．所以成为90nm以下器件的可选择材料。NiSi还具有与SiGe的超强兼容性。在先进器件结构的PMOSS／D区域，SiGe常被用于引入硅沟道内的应变。