【摘 要】
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以GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,开展了能量为0.7, 1, 3, 5, 10 MeV的质子辐照损伤模拟研究,建立了三结太阳电池结构模型和不同能量质子辐照模型,获得了不同质子辐照
【机 构】
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西安高科技研究所,强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,湘潭大学材料科学与工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:11875223,11805155),中国科学院战略性先导科技专项(批准号:XDA15015000),强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(批准号:SKLIPR1803,1903Z),抗辐照应用技术创新基金(批准号:KFZC2018040201)资助的课题.
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以GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,开展了能量为0.7, 1, 3, 5, 10 MeV的质子辐照损伤模拟研究,建立了三结太阳电池结构模型和不同能量质子辐照模型,获得了不同质子辐照条件下的I-V曲线,光谱响应曲线,结合已有实验结果验证了本文模拟结果,分析了三结太阳电池短路电流、开路电压、最大功率、光谱响应随质子能量的变化规律,利用不同辐照条件下三结太阳电池最大输出功率退化结果,拟合得到了三结太阳电池最大输出功率随位移损伤剂量的退化曲线.研究结果表明,质子辐照会在三结太阳电池中引入位移损伤缺
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