【摘 要】
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采用磁控溅射法在普通玻璃上制备了Ga掺杂ZnO（GZO）薄膜,研究了退火处理对GZO薄膜组织结构、表面形貌及光电性能的影响,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、紫外分光光度计、四
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采用磁控溅射法在普通玻璃上制备了Ga掺杂ZnO（GZO）薄膜,研究了退火处理对GZO薄膜组织结构、表面形貌及光电性能的影响,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、紫外分光光度计、四探针测试仪等对GZO薄膜的表面形貌、晶体结构、透光率及电阻率等进行测量与表征。结果表明：400-800℃退火对GZO薄膜的生长方式影响较小,所制薄膜均在（002）晶向沿c轴择优取向,退火温度对薄膜表面形貌影响较大,退火温度为600℃时,薄膜表面致密、平整,结晶质量最好,薄膜的透光率超过95%,电阻率最低为4.9×10^-
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