【摘 要】
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为了提高器件的频率特性,设计了一种表面覆盖氮化物(Si3N4)应力膜的应变硅SOI SiGe异质结双极晶体管结构,通过在器件结构的最上层淀积一层Si3N4,使其在基区引入单轴压应力,增
【机 构】
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重庆邮电大学光电工程学院,燕山大学理学院河北省微结构材料物理重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(61704147),河北省教育厅科学基金项目(QN2017150)。
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为了提高器件的频率特性,设计了一种表面覆盖氮化物(Si3N4)应力膜的应变硅SOI SiGe异质结双极晶体管结构,通过在器件结构的最上层淀积一层Si3N4,使其在基区引入单轴压应力,增强载流子的迁移率,来提高器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax。采用SILVACO软件进行仿真,重点研究不同埋氧化层厚度和氮化膜对器件频率特性的影响。结果表明:在埋氧化层厚度为190nm,基区
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