MOS功率器件的新成员—MBSIT

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介绍了一种新型MOS控制功率器件-MBSIT,它的制造工艺类似于一个功率MOS的制造工艺,其材料是在n^+衬底上生成n^-外延层。该器件被设计为常开器件,它的阳极电流通路完全被BSIT沟道中的自建电场所夹断,当外加一个正向栅压时,器件可通过阳极电流。该器件具有低的导通电阻,高速和大的导通电流密度,是一种很有发展前任的大电流,高速度,高效率开关器件。
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