【摘 要】
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采用电化学方法分别在多壁碳纳米管和镍箔上沉积制备聚吡咯纳米线,通过SEM、TEM、XRD、TGA、FTIR、CV等物理与电化学手段对产物进行了表征,系统地研究了电沉积基体、电沉积时
【机 构】
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北京航空航天大学材料科学与工程学院
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采用电化学方法分别在多壁碳纳米管和镍箔上沉积制备聚吡咯纳米线,通过SEM、TEM、XRD、TGA、FTIR、CV等物理与电化学手段对产物进行了表征,系统地研究了电沉积基体、电沉积时间对于产物聚吡咯形貌的影响。研究结果表明,在0.85 V电位下,在多壁碳纳米管基底上电沉积300 s以及在镍基底中沉积50 s,均能够得到结构分散、粗细均匀的聚吡咯纳米线。此外,在镍基底上,聚吡咯的形貌随着电沉积时间的增加发生了纳米线-菜花状-海螺状的变化过程。此研究为制备不同形貌的纳米结构聚吡咯开拓了一种快速、稳定、廉价的方法
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