【摘 要】
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为了防止电源反向保护电路中反接的NMOS管衬底和漏极寄生二极管正向击穿,提出了一种衬底电位自调整结构.通过在保护管衬底增加上拉耗尽型NMOS管和下拉n型双扩散(ND) MOS管,自动调整保护管在正向导通和反向截止时的衬底电位,防止其衬底和源、漏之间的寄生二极管正向导通.芯片采用0.35 μm BCD工艺完成设计和流片,保护电路版图面积为0.10 mm2,衬底电位自调整电路版图面积为0.01 mm2.测试结果表明:正向工作最大击穿电压由1V提高至9V,过电流保护值为1.4A,反向保护最大击穿电压达到了-26
【机 构】
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天津大学微电子学院,天津 300072;天津理工大学电气电子工程学院,天津 300384
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为了防止电源反向保护电路中反接的NMOS管衬底和漏极寄生二极管正向击穿,提出了一种衬底电位自调整结构.通过在保护管衬底增加上拉耗尽型NMOS管和下拉n型双扩散(ND) MOS管,自动调整保护管在正向导通和反向截止时的衬底电位,防止其衬底和源、漏之间的寄生二极管正向导通.芯片采用0.35 μm BCD工艺完成设计和流片,保护电路版图面积为0.10 mm2,衬底电位自调整电路版图面积为0.01 mm2.测试结果表明:正向工作最大击穿电压由1V提高至9V,过电流保护值为1.4A,反向保护最大击穿电压达到了-26 V.与同类型电路相比,正向击穿电压有了大幅提高,显著改善了电源反向保护电路的性能.
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