【摘 要】
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结合精确度和稳定性的要求提出了一种适合宽范围电容负载的CMOS运放.在多径嵌套式密勒补偿结构中加入一个抑制电容,得到适合各种电容负载的稳定性.为了证实稳定性的提高,对该
【机 构】
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复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,荷兰代尔夫特理工大学电子仪器实验室
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结合精确度和稳定性的要求提出了一种适合宽范围电容负载的CMOS运放.在多径嵌套式密勒补偿结构中加入一个抑制电容,得到适合各种电容负载的稳定性.为了证实稳定性的提高,对该结构进行了理论分析并计算得出数学表达式.基于这种新的频率补偿结构,利用CMOS 0.7μm工艺模型设计了样品芯片.测试结果表明该运放可以驱动从100pF到100μF负载电容,直流增益为90dB,最小相位裕度为26°.该运放在100pF负载情况下单位增益带宽为1 MHz,抑制电容仅为18 pF.
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