【摘 要】
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低温下用MBE方法生长了Ge/Si超晶格,X射线反射及横向散射研究表明,Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称,下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构,这种组分
【机 构】
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南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京大学固体微结构物理国家重点实验室,中国科学院高能物理研究所,中国科学院高能物理研究所,台湾大学凝聚态中心 南京 2100
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低温下用MBE方法生长了Ge/Si超晶格,X射线反射及横向散射研究表明,Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称,下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构,这种组分结构可以用一平均成分的SiGe合金层加以拟合,从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度,旋转样品进行的X射线散射研究表明,这种SiGe的混合是各向同性的,这与透射电子显微镜的研究结构相一致。
The growth of Ge / Si superlattice by MBE method at low temperature shows that the roughness of the upper and lower Ge subsurfaces is anti-symmetric and the large roughness of the lower surface originates from the diffusion of Ge into the Si sub-layer The formation of SiGe mixed component structure, the component structure can be an average composition of the SiGe alloy layer to be fit, so that the sub-layer has a reasonable roughness, X-ray scattering of rotating samples showed that this The mixing of SiGe is isotropic, consistent with the study of transmission electron microscopy.
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