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该文研究了TTSV间隙布置方法下三维集成电路的温度场与应力场。应用正交试验设计的方法,对电路的温度场与应力场进行仿真,并通过方差数值分析,客观地对TTSV的多个因素进行单独分析和多因素交互分析。从而能在电路芯片的物理设计阶段,通过优化参数数值,使芯片的温度与应力值显著下降。
多物理场下多因素交互的TTSV正交试验分析
【摘 要】
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该文研究了TTSV间隙布置方法下三维集成电路的温度场与应力场。应用正交试验设计的方法,对电路的温度场与应力场进行仿真,并通过方差数值分析,客观地对TTSV的多个因素进行单
【机 构】
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华南师范大学
【出 处】
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电子质量
【发表日期】
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2017年1期
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