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采用转移矩阵和数值计算相结合的方法求解含时Schroedinger方程，计算了电子在双势垒结构中的构建时间和隧穿寿命．结果表明：构建时间和隧穿寿命对于描述电子隧穿时间特性同等重要．通过研究隧穿时间对结构参数的依赖情况发现，隧穿寿命随阱宽和垒厚的增加而迅速增大．
GaAs-AlxGa1-xAs双势垒结构中电子共振隧穿寿命
【摘 要】
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采用转移矩阵和数值计算相结合的方法求解含时Schroedinger方程，计算了电子在双势垒结构中的构建时间和隧穿寿命．结果表明：构建时间和隧穿寿命对于描述电子隧穿时间特性同等重要
【机 构】
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内蒙古大学理工学院物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年10期
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